摘要:近日,江蘇鈮奧光電科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鈮奧光電”)完成數(shù)億元A輪融資,基石資本領(lǐng)投。
近日,江蘇鈮奧光電科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鈮奧光電”)完成數(shù)億元A輪融資,基石資本領(lǐng)投,毅達(dá)資本、合創(chuàng)資本跟投,現(xiàn)有投資方立達(dá)資本、晨峰暉創(chuàng)資本、南京市創(chuàng)投繼續(xù)追加投資。
基石資本合伙人黃錫成表示:鈮奧光電項(xiàng)目是基石資本基于半導(dǎo)體領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈投資,向光子產(chǎn)業(yè)拓展的重要布局。薄膜鈮酸鋰平臺(tái)有著顛覆光子產(chǎn)業(yè)的潛力,但仍處于產(chǎn)業(yè)起步階段。基石資本認(rèn)為,鈮奧光電擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的科學(xué)家團(tuán)隊(duì),產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富的運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì),通過(guò)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,串聯(lián)產(chǎn)業(yè)鏈上下游,將發(fā)揮中國(guó)在薄膜鈮酸鋰領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì),引領(lǐng)后摩爾時(shí)代薄膜鈮酸鋰的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
鈮奧光電成立于2020年7月,核心團(tuán)隊(duì)成員包括多名海歸科研工作者和業(yè)界資深專(zhuān)家,團(tuán)隊(duì)在薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片領(lǐng)域擁有全球領(lǐng)先的研究成果和多年芯片制造運(yùn)營(yíng)的成熟經(jīng)驗(yàn)。鈮奧光電專(zhuān)注于從事薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片及器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造等,致力于成為高速調(diào)制器光電子芯片領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。 鈮酸鋰被譽(yù)為 “光學(xué)硅”,可以制備集成光子回路中的光波導(dǎo)、光開(kāi)關(guān)、分/合束器、壓電調(diào)制器、熱電調(diào)制器與電光調(diào)制器等器件,其中鈮酸鋰調(diào)制器是光子集成回路和現(xiàn)代通信的核心器件,已成為當(dāng)前電光調(diào)制器市場(chǎng)的主流產(chǎn)品。但是受限于鈮酸鋰晶體材料尺度問(wèn)題,傳統(tǒng)鈮酸鋰基電光調(diào)制器的帶寬、半波電壓、插入損耗等關(guān)鍵性能參數(shù)的提升逐漸遭遇瓶頸,且與CMOS工藝不兼容。相較于鈮酸鋰晶體(尺寸受限),以及其他光電子材料如磷化銦、硅光,薄膜鈮酸鋰可實(shí)現(xiàn)超快電光效應(yīng)和高集成度光波導(dǎo),具有大帶寬、低功耗、低損耗、小尺寸等優(yōu)異特性,并可實(shí)現(xiàn)大尺寸晶圓規(guī)模制造,是非常理想的電光調(diào)制器材料。 鈮奧光電的核心團(tuán)隊(duì)前期在薄膜鈮酸鋰調(diào)制器研究領(lǐng)域逐一攻克了眾多技術(shù)難點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)重大技術(shù)突破,并取得了一系列全球突破性成果,如最高帶寬的硅與鈮酸鋰異質(zhì)集成調(diào)制器芯片(Nature Photonics,2019中國(guó)光學(xué)十大進(jìn)展)、世界首例鈮酸鋰薄膜IQ調(diào)制器芯片(Nature Communications,2020中國(guó)光學(xué)十大進(jìn)展)、世界首例鈮酸鋰薄膜偏振復(fù)用相干光調(diào)制器芯片(Optica,2021年聯(lián)合華為演示1.96Tb/s的單載波相干傳輸最高數(shù)據(jù)傳輸凈速率,2022年中國(guó)光學(xué)十大進(jìn)展)。2022年9月,鈮奧光電聯(lián)合貝爾實(shí)驗(yàn)室、III-V實(shí)驗(yàn)室、是德科技、中山大學(xué)等在歐洲光通信大會(huì)首次實(shí)現(xiàn)260G波特的DP-QPSK信號(hào)100公里傳輸距離,核心器件正是鈮奧光電研發(fā)的鈮酸鋰薄膜雙偏振相干調(diào)制器芯片(PDP ECOC 2022,目前最高速的波特率)。 鈮奧光電開(kāi)發(fā)的薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片目前已可實(shí)現(xiàn)超低驅(qū)動(dòng)電壓(Vπ<1V)和超大帶寬(最新記錄260Gbaud),功耗較硅光調(diào)制器等解決方案顯著降低,在800G及以上速率的模塊應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì),單波200G以上的傳輸能力使得Pluggable1.6T(單波200G)/3.2T(單波400G)光模塊成為可能。
截至目前,鈮奧光電的產(chǎn)品已涵蓋光通信、微波光子和光學(xué)傳感三大業(yè)務(wù)領(lǐng)域,并形成了數(shù)據(jù)中心、電信中長(zhǎng)距、相干等產(chǎn)品方向的解決方案,當(dāng)前均已進(jìn)入客戶送樣測(cè)試及小批量銷(xiāo)售階段。其中,數(shù)據(jù)中心芯片包括800G/1.6T系列,傳輸距離覆蓋500M/2KM/10KM;電信中長(zhǎng)距芯片及器件包括50G/100G/400G系列,傳輸距離覆蓋10KM/30KM/40KM;相干芯片包括64G/96G/128G Baud 系列,可深度定制。
鈮奧光電的商業(yè)模式為獨(dú)立完成從芯片設(shè)計(jì)、流片制造及封測(cè)到器件設(shè)計(jì)及封裝制造的全產(chǎn)業(yè)鏈IDM模式。公司已建成高度自動(dòng)化的光器件研發(fā)及制造平臺(tái),標(biāo)準(zhǔn)有源對(duì)準(zhǔn)精度為50nm,支持COB,BOX,Optical Engine, Light BOX等多種封裝工藝路線;同時(shí)在建薄膜鈮酸鋰光電子芯片研發(fā)及制造平臺(tái),將于2023年建成 “晶圓進(jìn)、芯片出”的完整6英寸薄膜鈮酸鋰光電子芯片產(chǎn)線。 本次融資將助力公司加速薄膜鈮酸鋰光電子芯片產(chǎn)線的建設(shè)和量產(chǎn)進(jìn)程,于2023年建成國(guó)內(nèi)首條規(guī)模量產(chǎn)的薄膜鈮酸鋰光電子芯片產(chǎn)線,實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)高速率光芯片的突破,為下一代信息與通信領(lǐng)域的高速光模塊、光傳感器件的廣泛應(yīng)用,打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
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