國際著名半導(dǎo)體公司英飛凌簽約國產(chǎn)碳化硅材料供應(yīng)商

援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網(wǎng)消息：【英飛凌公司正推動其碳化硅（SiC）供應(yīng)商體系多元化，并與中國碳化硅材料供應(yīng)商北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協(xié)議，以確保獲得更多具有競爭力的碳化硅來源。天科合達(dá)將為英飛凌供應(yīng)用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的6英寸碳化硅材料，其供應(yīng)量占到英飛凌未來長期預(yù)測需求的兩位數(shù)份額?！?/span>

CMP拋光車間-工程師手拿6和8英寸襯底正在技術(shù)討論

英飛凌是國際著名的半導(dǎo)體公司，其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，英飛凌技術(shù)實力雄厚，在功率半導(dǎo)體市場占有率國際第一。近年來，英飛凌公司不斷加強其SiC制造能力，并持續(xù)看好亞太區(qū)第三代半導(dǎo)體市場。公司制訂了遠(yuǎn)景目標(biāo)，力爭在2030年達(dá)成30%全球SiC市場份額。

基于對碳化硅發(fā)展前景的充分看好，英飛凌公司在過去幾年，與全球碳化硅材料主要供應(yīng)商紛紛簽訂長期供貨協(xié)議?？赡苁浅鲇趯喬袌鲇绕涫侵袊袌龅目紤]，英飛凌公司推動了這次與中國供應(yīng)商天科合達(dá)長期合作協(xié)議的簽訂。

顯微鏡檢測晶圓質(zhì)量

據(jù)業(yè)一位內(nèi)人士稱，天科合達(dá)這家碳化硅材料公司是具有深厚的中科院背景和國資背景的高科技企業(yè)。公司在2006年成立，成立之初的主要技術(shù)源自中科院物理研究所，主要產(chǎn)業(yè)化支持資金來源于新疆天富集團(tuán)。近年來，伴隨著“雙碳”建設(shè)的深入實施以及國家對第三代半導(dǎo)體的大力支持，以新能源汽車、光伏風(fēng)電、儲能設(shè)施、軌道交通、5G通訊等為主要應(yīng)用的碳化硅市場快速擴容。以天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、爍科晶體等為代表的國內(nèi)碳化硅材料企業(yè)迎來快速發(fā)展的時機。天科合達(dá)在導(dǎo)電襯底領(lǐng)域尤為出色，占據(jù)了國內(nèi)一半以上的市場份額，2021年國際市場占有率排名第四，在產(chǎn)品良率方面也處于行業(yè)領(lǐng)先地位。公司已經(jīng)得到國家政策基金和產(chǎn)業(yè)基金的大力支持，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、哈勃科技投資基金、比亞迪、寧德時代、潤科基金都是天科合達(dá)的股東。此次雙方合作協(xié)議的簽訂，是英飛凌公司對天科合達(dá)產(chǎn)品質(zhì)量的充分肯定，也是英飛凌完善供應(yīng)鏈建設(shè)的一次關(guān)鍵選擇。英飛凌位于馬來西亞居林的碳化硅工廠計劃于2024年投產(chǎn)，預(yù)計天科合達(dá)將會有效保證該廠的碳化硅晶圓供應(yīng)。

本報記者就相關(guān)情況致電中科院物理研究所碳化硅團(tuán)隊負(fù)責(zé)人、天科合達(dá)首席科學(xué)家陳小龍研究員。

陳小龍談起就碳化硅的重要優(yōu)勢時說

碳化硅是引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要材料，應(yīng)用前景廣闊，大大助力于“雙碳”戰(zhàn)略的實施。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，和第一代以硅為主、第二代以砷化鎵為主的半導(dǎo)體材料相比，具有禁帶寬度大、飽和電子遷移率高、導(dǎo)熱性能等優(yōu)勢，特別適合于做大功率、耐高溫、耐高壓的半導(dǎo)體器件。比如電動汽車應(yīng)用碳化硅器件做逆變器、變壓器，甚至是車載充電樁，可以做得體積小，重量輕，這樣提高電動汽車的續(xù)航里程，同時轉(zhuǎn)換效率高，能夠有效節(jié)能。在光伏逆變器和儲能逆變器領(lǐng)域，提高電能利用率，大大降低能耗損失。未來碳化硅器件將會覆蓋更高電壓等級器件，可應(yīng)用于軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。碳化硅功率器件導(dǎo)通電阻底，開關(guān)頻率高，能夠有效降低系統(tǒng)能耗，達(dá)到節(jié)能減排的目的，是為“雙碳”戰(zhàn)略服務(wù)的重要材料。

陳教授談起我國的碳化硅技術(shù)發(fā)展，說。

我國碳化硅技術(shù)起步較晚，天科合達(dá)是中科院物理研究所產(chǎn)學(xué)研合作成功的典型案例，一直在推動著國內(nèi)碳化硅技術(shù)進(jìn)步。碳化硅（SiC）晶體生長極其困難，上世紀(jì)90年代只有少數(shù)發(fā)達(dá)國家掌握SiC晶體生長和加工技術(shù)，我國起步較晚。為推動SiC晶體國產(chǎn)化，避免我國寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被“卡脖子”，我們團(tuán)隊從1999年開始，從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究，自主研發(fā)突破了從生長設(shè)備到高質(zhì)量SiC晶體生長和加工等關(guān)鍵技術(shù)。我們形成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的完整技術(shù)路線，進(jìn)而推動國內(nèi)第一家SiC晶體產(chǎn)業(yè)化公司北京天科合達(dá)成立。天科合達(dá)不斷發(fā)展壯大，取得了不錯的經(jīng)濟和社會效益，帶動了整個產(chǎn)業(yè)鏈快速發(fā)展，團(tuán)隊因此獲得了中國科學(xué)院2020年度科技促進(jìn)發(fā)展獎，成為中科院產(chǎn)學(xué)院合作的一個優(yōu)秀案例。

對于這次簽約，陳教授說

國際碳化硅器件廠商與材料廠簽訂長約，一直是普遍的做法，英飛凌鎖定天科合達(dá)的部分產(chǎn)能，即有利于推動天科合達(dá)技術(shù)進(jìn)步，也鞏固了英飛凌的供應(yīng)鏈系統(tǒng)，是一個雙贏的選擇。  

另外，中科院物理所陳小龍教授還稱，目前物理所研發(fā)團(tuán)隊還關(guān)注碳化硅液相法晶體生長技術(shù)，希望基礎(chǔ)研究上跟進(jìn)一步，為其產(chǎn)業(yè)化發(fā)展奠定基礎(chǔ)。