致真存儲完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資

近日，致真存儲(北京)科技有限公司宣布完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資，投資方包括俱成資本、中國互聯(lián)網(wǎng)投資基金、京鵬投資等。融資資金將主要用于加強研發(fā)團隊建設(shè)和設(shè)備采購，提升產(chǎn)品研發(fā)能力，加速磁性隨機存儲器（Magnetic Random-Access Memory，MRAM）芯片的研發(fā)和生產(chǎn)線建設(shè)落地。

致真存儲（北京）科技有限公司是一家以磁存儲技術(shù)為基礎(chǔ)的創(chuàng)新性科技企業(yè)，掌握芯片設(shè)計、研發(fā)及生產(chǎn)制造等關(guān)鍵核心技術(shù)。基于產(chǎn)學(xué)研全鏈條合作模式，依托國內(nèi)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈，發(fā)揮產(chǎn)業(yè)協(xié)同優(yōu)勢，形成了面向MRAM芯片產(chǎn)品的全國產(chǎn)化生產(chǎn)制造流程。公司的核心產(chǎn)品將應(yīng)用于高可靠電子裝置、工業(yè)芯片、汽車電子、消費領(lǐng)域及人工智能等多個行業(yè)。

致真存儲2019年7月成立，設(shè)立有北京總部，已完成建設(shè)青島研發(fā)中心，未來計劃在上海、無錫、南京、杭州等多地開設(shè)分公司及研究院，力爭成為服務(wù)于全國乃至全球的存儲芯片解決方案供應(yīng)商。目前公司團隊規(guī)模超80人，擁有核心專利80余項，參與國家重點研發(fā)計劃等多個國家級重點科技項目。

存儲芯片在半導(dǎo)體行業(yè)中是最為重要的產(chǎn)品之一。2022年全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模為4744.02億美元，其中，存儲芯片規(guī)模為1297.67億美元，約占集成電路產(chǎn)業(yè)總體規(guī)模的22.6%。然而隨著集成電路先進工藝制程的逐步微縮，高效能應(yīng)用場景對存儲芯片性能的要求進一步提升，傳統(tǒng)存儲芯片遭遇性能提升的技術(shù)瓶頸。以MRAM為代表的新型存儲器成為解決存儲芯片提高效能的突破口。MRAM不僅擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，還具備閃存（FLASH）的高集成度和非易失特性。

磁存儲技術(shù)已經(jīng)歷了三代技術(shù)迭代。目前市面上廣泛流通的產(chǎn)品為第二代自旋轉(zhuǎn)移矩磁存儲芯片（Spin-Transfer Torque MRAM,STT-MRAM）,該類產(chǎn)品可用于智能消費類電子設(shè)備、IoT終端及車載芯片，國際半導(dǎo)體制造龍頭企業(yè)均已量產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品。為更進一步提升MRAM芯片的性能，加強其與半導(dǎo)體先進制程工藝的兼容性（如兼容5nm以下工藝節(jié)點），業(yè)界提出了第三代技術(shù)：自旋軌道耦合矩磁存儲芯片（Spin-Orbit Torque MRAM,SOT-MRAM）,該產(chǎn)品在讀寫速度、壽命、可靠性等性能指標(biāo)上具有顯著優(yōu)勢，可作為Cache級存儲器，可以嵌入式形式，在工業(yè)芯片、消費電子領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用場景。第三代磁存儲技術(shù)目前全球各團隊均處于研發(fā)階段，市面上尚無成型產(chǎn)品推出，因此不論在專利還是市場方面，都是我國在新型存儲領(lǐng)域能夠?qū)崿F(xiàn)彎道超車的最佳賽道。

據(jù)Yole等知名半導(dǎo)體分析機構(gòu)預(yù)測，全球新型存儲器市場將保持較高水平的增長，預(yù)計未來五年將以63%的復(fù)合增長率增長，2030年市場規(guī)模將達到400億美元（含獨立式與嵌入式）。

致真存儲團隊在自旋存儲芯片領(lǐng)域具有近二十年的科研基礎(chǔ)，專注于前沿MARM自旋存儲芯片的技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)，具備物理層面機理探索、材料研究、電路設(shè)計、芯片制造及應(yīng)用開發(fā)的全流程能力，尤其在SOT-MARM領(lǐng)域，致真存儲的技術(shù)水平在全球處于行業(yè)領(lǐng)先地位，是一家在磁存儲芯片領(lǐng)域具有競爭優(yōu)勢的科技創(chuàng)新公司。

技術(shù)層面，團隊提出并實現(xiàn)了一種自旋軌道矩-自旋轉(zhuǎn)移矩協(xié)同翻轉(zhuǎn)磁矩的MRAM數(shù)據(jù)寫入方法，構(gòu)建了高密度MRAM產(chǎn)品的設(shè)計，并獲得了中美授權(quán)的門檻性專利，自主研發(fā)的高隧穿磁阻效應(yīng)垂直隧道結(jié)，其核心指標(biāo)高于IBM、IMEC等國際機構(gòu)。其自研的新一代MRAM芯片可采用一種NAND-SPIN結(jié)構(gòu)，大幅提升容量的同時兼具速度快、壽命長、功耗低等性能優(yōu)勢，該結(jié)構(gòu)可很好地與CMOS工藝兼容，降低制造難度及制造成本。

截至目前，公司已獲得中科創(chuàng)星、普華資本、中電?？档榷喾綉?zhàn)略投資，并通過引入產(chǎn)業(yè)投資方，實現(xiàn)磁存儲產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈的資源整合。致真存儲已簽約青島市西海岸新區(qū)，在地方政府的大力支持下籌劃建設(shè)8英寸和12英寸的新一代存儲芯片專用后道加工生產(chǎn)線，項目預(yù)計于2025年上半年建成，屆時致真存儲將具備磁存儲芯片的獨立制造能力，一期建設(shè)規(guī)劃年產(chǎn)能可達2萬片。

在談及未來發(fā)展規(guī)劃時，致真存儲CEO王戈飛表示：致真存儲研發(fā)的新一代磁存儲芯片，具備高速讀寫、低功耗、耐擦寫、高可靠、寬溫區(qū)等獨特優(yōu)勢，是下一代非易失存儲芯片的理想選擇，未來該芯片將在各個行業(yè)大有可為。我們將利用現(xiàn)有的8英寸研發(fā)平臺及12英寸產(chǎn)業(yè)資源加快研發(fā)，同時推動MRAM量產(chǎn)線建設(shè)，加速推進國產(chǎn)磁存儲芯片的市場化進程，力爭成為國內(nèi)磁存儲行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。